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～GaN系半導体で持続可能な社会づくりに貢献します～
窒化物半導体材料と応用デバイス研究
| 研究分野分類：5603 電子デバイス・電子機器 産業分類：電気機械器具製造業 ，電子部品・デバイス・電子回路製造業 |
| キーワード：光デバイス，電子デバイス，センシングデバイス，量子デバイス，半導体 |
| 工学 |
| 電気電子工学 |
| 三好実人（機能工学専攻） |
| 研究概要 窒化物(GaN)系半導体は、GaN以外の材料（AlN、InN）を含めた多元組成や、ナノワイヤ・量子ドット等の形態を取ることで、様々な応用デバイスを実現できる可能性を秘めています。当研究室では、GaN系半導体を用いた多元系ヘテロ構造、量子ドット構造等の新構造結晶とその応用デバイスの研究を行っています。 |
特徴 当研究室では、持続可能な人類社会を支える生活密着型の「安全安心・省エネ・低環境負荷・快適」を備えたエレクトロニクス機器の提供を目指し、半導体材料、結晶成長、デバイス応用、用途探索に至るまで、GaN系半導体の幅広い研究を行っています。 |
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| 背景・従来技術 我々人類の暮らしは、かつてのように快適さや安全安心を求めるだけでなく、将来社会への責任として省エネ化・低環境負荷などが重要なキーワードになっています。半導体材料・デバイスが進展し続けることは、こうした要求に応えつつ持続可能な人類社会を支えていくための極めて重要な役割を担うものと考えます。 |
実用化イメージ 化合物太陽電池によるモバイルソーラーチャージャー、殺菌用LED搭載のクリーンエアコン、紫外線フォトダイオードによる高感度の火災検知器、超低損失パワーデバイスを搭載した電力制御機器 |
企業等への提案
研究者からのメッセージ
LED用材料として注目が集まった窒化物半導体は、発光デバイスとしてだけでなく多くの優れた材料物性を持っています。窒化物半導体の材料物性を活かした様々な応用展開の可能性について検討させてください。
文献・特許
・M. Miyoshi et al, Appl. Phys. Express 8 (2015) 051003.
・M. Miyoshi et al, Appl. Phys. Express 8 (2015) 021001.
・M. Miyoshi et al, J. Vac. Sci. Tech. B 33 (2015) 013001.
・M. Miyoshi et al, Semicond. Sci. Tech. 29 (2014) 075024.
・特願2013-245916, 『ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー』
| 試作品状況 | 無し | 掲示可 | 提供可 |
| 利用可能な設備・装置 窒化物半導体エピタキシャル成長装置（MOCVD） X線回折、PL装置など結晶評価装置 各種フォトリソグラフィ装置 マニュアルプローバ 分光感度測定装置 ソーラーシミュレータ |
共同研究を希望するテーマ 化合物太陽電池 紫外線発光デバイス 次世代パワーデバイス 紫外線フォトディテクタ スマートガスセンサ |
| 研究者データベースとのリンク（名前をクリックしてください） 研究者名：三好実人 |
